[发明专利]一种氧化镍-金-氧化锌同轴纳米阵列的制备方法及应用

权利要求书

1.一种氧化镍-金-氧化锌同轴纳米线阵列的制备方法，其特征在于；具体制备步骤如下所述：

(1)、将预处理后的导电基底放入磁控溅射仪，通过机械泵和分子泵抽真空使腔体内真空度≤7.0×10^-4Pa，再调节射频系统使氧化锌靶材启辉，先进行预溅射使靶材表面清洁，然后通入高纯氧气和高纯氩气，从而得到溅射有氧化锌种子层的基底；

(2)、配制等摩尔的醋酸锌和六次甲基四胺水溶液，将步骤(1)中所得的基底、醋酸锌和六次甲基四胺水溶液加入到水热反应釜中，再放入90-120℃的烘箱里反应4-10h，用超纯水冲洗，晾干或烘干，从而得到氧化锌纳米线阵列；

(3)、将得到的氧化锌纳米线阵列置于等离子体溅射仪中并在金靶下溅射，从而得到金-氧化锌纳米线阵列；

(4)、最后，将得到的金-氧化锌纳米线阵列置于磁控溅射仪进行氧化镍层的原位复合，从而最终得到氧化镍-金-氧化锌同轴纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的一种氧化镍-金-氧化锌同轴纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的导电基底为FTO导电玻璃；

所述的预处理后的导电基底是指：将未处理的导电基底依次在超纯水、丙酮、无水乙醇及超纯水中超声，再用超纯水洗净、晾干，从而得到预处理后的导电基底。

3.根据权利要求1所述的一种氧化镍-金-氧化锌同轴纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述磁控溅射仪的射频功率为50-200W。

4.根据权利要求1所述的一种氧化镍-金-氧化锌同轴纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述高纯氧气的气体流量为5-15sccm，所述高纯氩气的气体流量为40-100sccm，所述高纯氧气和高纯氩气的工作气压为1-3Pa。

5.根据权利要求1所述的一种氧化镍-金-氧化锌同轴纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述得到的溅射氧化锌种子层的基底的厚度为10-30nm。

6.根据权利要求1所述的一种氧化镍-金-氧化锌同轴纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述醋酸锌和六次甲基四胺的浓度为0.005-0.05mol/L。

7.根据权利要求1所述的一种氧化镍-金-氧化锌同轴纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述等离子体溅射仪的溅射时间为45-120s。

8.根据权利要求1所述的一种氧化镍-金-氧化锌同轴纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述磁控溅射仪的磁控溅射时间为1-20min。

9.一种同轴结构的纳米光电功能材料，其特征在于：由权利要求1-8所述的方法制备所得。

10.根据权利要求9所述的一种同轴结构的纳米光电功能材料在光电传感中的应用，其特征在于：所述应用具体如下所述：以修饰复合材料的导电基底为工作电极，以铂网、银/氯化银电极分别为对电极与参比电极，完成液体环境下的光电传感。