[发明专利]一种采用难熔高熵合金中间层放电等离子扩散连接碳化硅陶瓷的方法

摘要

本发明公开了一种采用难熔高熵合金中间层放电等离子扩散连接碳化硅陶瓷的方法，它是以难熔高熵合金TaxHfZrTi（其中x=0.5­1，Ta(at.%)=14.2­25%，Hf、Zr和Ti三种元素具有等摩尔量）作为中间层材料，通过SPS技术对两块待焊SiC陶瓷母材进行固相扩散焊接，从而获得SiC陶瓷焊接接头。本发明所获得的SiC接头在界面形成了高强度的(Ta,Hf,Zr,Ti)C高熵陶瓷相，避免了单一难熔金属扩散连接SiC陶瓷生成热膨胀系数较大的脆性硅化物，从而缓和了SiC接头的热失配，提高了接头强度，接头最大的室温剪切强度高达326.2±9.9 MPa，中间层硬度高达2552.1±357.1 HV，具有较高的高温环境下的工程实用价值。