[发明专利]一种IGBT过压保护装置在审
| 申请号： | 202111174249.0 | 申请日： | 2021-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN113889994A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 倪侠;王全;邹有彪;徐玉豹;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 | 申请（专利权）人： | 富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H7/20 |
| 代理公司： | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人： | 李茂松 |
| 地址： | 231283 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于电力电子技术领域，尤其为一种IGBT过压保护装置，包括栅极驱动电路、IGBT、第一压敏电阻和第二压敏电阻，所述栅极驱动电路通过放电电阻与IGBT的栅极连接，所述放电电阻通过第一TVS管与IGBT的源级连接，所述栅极驱动电路通过放电电阻与IGBT的栅极连接，所述放电电阻通过第一TVS管与IGBT的源级连接，所述放电电阻通过反向设置的第一稳压二极管和第二稳压二极管与第一压敏电阻连接。本发明能够对IGBT栅极实施前级过电压保护，使IGBT保持在线性工作中，达到降低集电极发射极过电压效果，随着有源钳位的增加，能够使浪涌电压降低，利用压敏电阻的非线性特性承受过压时进行电压嵌位，对后级电路起到保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 保护装置 | ||
【主权项】：
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