[发明专利]一种AgBiS2有效

专利信息
申请号: 202111168824.6 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN113913794B 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 林乾乾;姚方;江力 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12;H10K30/00
代理公司: 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 代理人: 马丽娜
地址: 430072*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种AgBiS2薄膜及其制备方法和应用,该制备方法包括以下步骤:按Ag:Bi=1:1~3的摩尔比向水中加入可溶性银盐和可溶性铋盐,并加入硫摩尔量不低于Ag和Bi之和的可溶性硫代硫酸盐,混匀后,加酸调节pH值=3,得到前驱体溶液;所述前驱体溶液中,可溶性硫代硫酸盐的阳离子,可溶性银盐、可溶性铋盐以及酸的阴离子均不参与沉积反应;将衬底置于前驱体溶液中,80℃±5℃静置沉积至少30分钟,取出衬底;将衬底在80~300℃的空气中退火,得到附着有AgBiS2薄膜的衬底。该制备方法具有操作简单、反应条件温和、成本低廉、对设备与环境要求低等优点,制备出的AgBiS2薄膜质量高、光学和电学性能好,光伏性能良好、探测性能良好,在光电领域具有极大的应用潜力。
搜索关键词: 一种 agbis base sub
【主权项】:
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