[发明专利]一种AgBiS2有效

专利信息
申请号: 202111168824.6 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN113913794B 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 林乾乾;姚方;江力 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12;H10K30/00
代理公司: 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 代理人: 马丽娜
地址: 430072*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 agbis base sub
【权利要求书】:

1.一种制备AgBiS2薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:

按Ag:Bi=1:2的摩尔比向水中加入可溶性银盐和可溶性铋盐,并加入硫摩尔量不低于Ag和Bi之和的可溶性硫代硫酸盐,混匀后,加酸调节pH值=3,得到前驱体溶液;所述前驱体溶液中,可溶性硫代硫酸盐的阳离子,可溶性银盐、可溶性铋盐以及酸的阴离子均不参与沉积反应;

将衬底置于前驱体溶液中,80℃±5℃静置沉积至少30分钟,取出衬底;

将衬底在80~300℃的空气中退火,得到附着有AgBiS2薄膜的衬底。

2.根据权利要求1所述的制备AgBiS2薄膜的方法,其特征在于:所述硫摩尔量为Ag和Bi之和的5~20倍。

3.根据权利要求1或2所述的制备AgBiS2薄膜的方法,其特征在于:所述前驱体溶液中Ag浓度为0.001~0.01mol/L。

4.根据权利要求3所述的制备AgBiS2薄膜的方法,其特征在于:所述前驱体溶液中Ag浓度为0.002mol/L。

5.根据权利要求1所述的制备AgBiS2薄膜的方法,其特征在于:所述衬底上设有化学浴沉积法沉积而成的CdS薄膜。

6.根据权利要求1所述的制备AgBiS2薄膜的方法,其特征在于:退火温度为200±5℃。

7.根据权利要求1所述的制备AgBiS2薄膜的方法,其特征在于:所述可溶性银盐为AgCl;所述可溶性铋盐为BiCl3,所述可溶性硫代硫酸盐为硫代硫酸钠或其水合物,所述酸为盐酸。

8.一种AgBiS2薄膜,其特征在于:由权利要求1-7任一项所述的制备AgBiS2薄膜的方法制备而成。

9.权利要求8所述的AgBiS2薄膜在制备太阳能电池、可见光与X射线光电探测器中的应用。

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