[发明专利]一种重力场辅助的基于碳量子点调控碳材料缺陷密度的方法有效
| 申请号： | 202111165850.3 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113753878B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 邱介山;于畅;侯思懿;常江伟;赵宗彬;丁一旺;姚春 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C01B32/168 | 分类号： | C01B32/168;C01B32/15;C01B32/354;C01B32/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所有限公司 21208 | 代理人： | 王树本;徐雪莲 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于碳材料制备技术领域，一种重力场辅助的基于碳量子点调控碳材料缺陷密度的方法，包括以下步骤：(1)将碳材料溶于第1乙醇溶液中，再将碳量子点溶于第2乙醇溶液中并分别对第1、2乙醇溶液进行第1次超声处理使其分散均匀，然后将第1、2乙醇溶液混合进行第2次超声处理至混合均匀，得到碳材料耦合碳量子点前驱体溶液。(2)将步骤1得到的碳材料耦合碳量子点前驱体溶液转移至离心管并置于高速离心机中进行表面增强的耦合反应，得到碳材料耦合碳量子点复合材料，通过重力场辅助调控碳材料缺陷密度。本发明方法可实现快速且精确调控不同碳材料的缺陷密度，具有工艺简单、能耗低、耗时短、易于规模化生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 重力场 辅助 基于 量子 调控 材料 缺陷 密度 方法 | ||
【主权项】：
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