[发明专利]一种基于NAND Flash的坏块管理方法在审
| 申请号： | 202111157900.3 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113921071A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 季亚男;高美洲 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于NAND Flash的坏块管理方法，本方法将两种坏块管理策略结合起来，根据SSD的不同Die上的坏块情况来采用不同的坏块管理方式对坏块进行管理。在SSD的生命周期初期，这时的坏块较少，宜采用替换策略的坏块管理方式，随着时间的推移，坏块变多，此时宜采用略过策略管理坏块。在整个SSD生命周期中统计每一条Die上坏块个数，根据每一条Die上坏块个数来判断调整坏块管理方式。将两种坏块管理方式的优势结合起来，保证写入并行度的同时还能避免因某一个Die上坏块过多造成的整个SSD可使用空间变少的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 nand flash 管理 方法 | ||
【主权项】：
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