[发明专利]一种基于NAND Flash的坏块管理方法

权利要求书

1.一种基于NAND Flash的坏块管理方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：通电上电；

步骤二：全盘扫描，统计第i个Die上的初始坏块数cnt_i，0≤i≤N-1，N为整个SSD上Nandflash所有的Die的个数；

步骤三：设定一个阈值TH1，如果某一个Die上的坏块数超过这个阈值，就认为这个Die为坏Die，如果这个Die上的坏块数不超过这个阈值，认为该Die为好Die；

步骤四：定义一个统计坏Die个数的参数count，设定一个阈值TH2，如果count大于等于TH2，则将坏块管理策略更换为略过策略，结束流程，如果cnt小于TH2，则执行步骤五；

步骤五：在数据写入时，遇到坏块，对应Die上的坏块数加1，同时固件采用替换策略管理坏块，返回步骤三。

2.根据权利要求1所述的基于NAND Flash的坏块管理方法，其特在于：略过策略是在写入时遇到坏块直接放弃该block，直接把数据写到下一个Die上的对应block上；替换策略是把闪存空间分成两个区域：用户空间以及预留空间，在用户空间写入时发现某一个Die上有坏块，则要把写入的数据写到该Die预留空间的block上，无需跳到下一个Die上。

3.根据权利要求2所述的基于NAND Flash的坏块管理方法，其特征在于：步骤二初始化坏块管理策略为替换策略，将SSD闪存空间划分为用户空间及预留空间，步骤三将坏块管理策略更换为略过策略时，同时将预留空间与用户空间划分条件删除，统一作为用户空间使用。

4.根据权利要求1所述的基于NAND Flash的坏块管理方法，其特征在于：正常执行写入操作，在某一block上写入时，遇到写出错的情况，重新写入该block，若再次出现写错误，则将该block认定为坏块。

5.根据权利要求1所述的基于NAND Flash的坏块管理方法，其特征在于：继续采用替换策略管理坏块时，同时记录坏块到替换块对应的映射表，若发生下电，将坏块到替换块的映射表保存，上电时，将坏块到替换块对应的映射表加载上来，正常执行写操作，流程跳转到步骤二。

6.根据权利要求1所述的基于NAND Flash的坏块管理方法，其特征在于：阈值TH1取每个Die上block总数的1/4。

7.根据权利要求1所述的基于NAND Flash的坏块管理方法，其特征在于：阈值TH2取N/4。