[发明专利]一种籽晶上置改进型热交换法生长高温氧化物晶体装置及方法

摘要

本发明公开了一种籽晶上置改进型热交换法生长高温氧化物晶体装置及方法，包括：将泡生法、提拉法(CZ)、热交换法(HEM)、温梯法(TGT)、坩埚下降法和泡生法(KY法)结合在一起，创造一个采用了自上而下气体从炉膛顶部的正中心流入、通过规划流动、确保绝对的均匀和对称的从底部中心流出、通过调节不同阶段气体流量和真空泵抽气速度来达到不同生长阶段各个部位的梯度的特殊高温真空晶体炉，通过装炉、抽真空、导入流动保护性气体、升温化料、洗籽晶、改变气体进出比例实时梯度调节、提拉法下种、“缩径工艺”、增加气体流量的热交换法“放肩工艺”、晶体生长界面控制(把凸界面调节成为微凸或接近平界面)、HEM热交换结合KY技术等径生长(优化称重控径技术)、KY法收尾脱坩埚、逐步增加保护气体压力的原位退火。根据本发明，将现有方法结合生产处大尺寸高温氧化物晶体。