[发明专利]通孔的制造方法在审
| 申请号： | 202111134771.6 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113921465A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 赵博超;高宏;肖雨;代新杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底的底层金属线和底层层间膜表面上形成当前层层间膜。步骤二、定义出通孔的形成区域。步骤三、采用干法刻蚀对当前层层间膜进行主刻蚀形成通孔的开口，主刻蚀的刻蚀气体的选择比的设置同时会使主刻蚀过程中在停止层的表面产生难以去除的副产物。步骤四、采用干法刻蚀进行平坦化刻蚀，以去除停止层表面的副产物，平坦化刻蚀的工艺气体采用氧气加氩气，氧气和副产物进行化学反应使所述副产物分解，氩气对副产物进行物理轰击使副产物剥离。步骤五、填充金属层形成通孔。本发明能消除通孔的填充金属和底层金属线之间的空隙，从而能降低通孔的电阻，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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