[发明专利]基于四层膜结构的AT石英晶体谐振器、振荡器及设计方法有效
| 申请号： | 202111121851.8 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113824424B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 安田克史;黄章伦 | 申请（专利权）人： | 杭州鸿星电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/19 | 分类号： | H03H9/19;H03H9/13;G06F30/36 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 郑元昊 |
| 地址： | 310000 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于四层膜结构的AT石英晶体谐振器、振荡器及设计方法；属于元器件技术领域；其技术要点在于：AT石英晶体谐振包括：石英晶片和第一激励电极、第二激励电极；第一激励电极、第二激励电极分别设置在石英晶体的两侧；第一激励电极、第二激励电极均采用四层膜结构，且按照距离石英晶体由近及远的顺序，依次包括：第一膨胀抑制材层，第二高热膨张系数材层，第三膨胀抑制材层，第四高热膨张系数材层。采用本申请的基于四层膜结构的AT石英晶体谐振器、振荡器及设计方法，能够有效的满足通信用高性能石英晶体谐振器的技术需求。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 膜结构 at 石英 晶体 谐振器 振荡器 设计 方法 | ||
【主权项】：
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