[发明专利]集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法及系统有效
| 申请号： | 202111120059.0 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113868946B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 谌东东;李国良;单光宝;李迪;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/27 | 分类号： | G06F30/27;G06N3/043;G06N3/084;G06N5/048;G06F113/18;G06F119/08 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 许攀 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请涉及集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法及系统，具体设置半导体封装技术领域。本申请提供的集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法，方法包括：通过获取硅通孔阵列的硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度；并将硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度代入到预设神经模糊推理系统模型中，计算得到硅通孔阵列的峰值温度；由于本申请的预设神经模糊推理系统模型通过多组数据计算得到，进而使得通过使用该预设神经模糊推理系统模型得到的硅通孔阵列的峰值温度的准确度和可信度较高，并且由于本申请只需要将硅通孔阵列的硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度等参数代入该预设神经模糊推理系统模型就可以得到硅通孔阵列的峰值温度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 fem anfis 硅通孔 阵列 峰值 温度 快速 预测 方法 系统 | ||
【主权项】：
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