[发明专利]集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法及系统

说明书

本申请涉及集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法及系统，具体设置半导体封装技术领域。本申请提供的集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法，方法包括：通过获取硅通孔阵列的硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度；并将硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度代入到预设神经模糊推理系统模型中，计算得到硅通孔阵列的峰值温度；由于本申请的预设神经模糊推理系统模型通过多组数据计算得到，进而使得通过使用该预设神经模糊推理系统模型得到的硅通孔阵列的峰值温度的准确度和可信度较高，并且由于本申请只需要将硅通孔阵列的硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度等参数代入该预设神经模糊推理系统模型就可以得到硅通孔阵列的峰值温度。

技术领域

本申请涉及半导体封装技术领域，具体设置一种集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法及系统。

背景技术

随着系统集成芯片的规模越来越大，三维集成技术可有效的减小微系统产品的水平方向占据的电路板面积，同时减小了互连线长度，降低了信号延迟，使得系统具有小尺寸、高性能、低功耗的优点，但是热问题是三维集成电路中不可忽略的问题。硅通孔(硅通孔)是三维集成电路中的关键组件，它的性能决定着三维集成电路的性能。

现有技术中利用传统有限元方法对三维集成电路硅通孔阵列峰值温度进行模拟仿真时计算量大，耗时长，占用内存大，难以实现硅通孔阵列峰值温度的快速预测，降低了集成电路设计效率，延长了集成电路芯片的研制周期。

因此，急需一种可以计算量小、耗时短、占用内存小，并且准确计算硅通孔阵列峰值温度的方法或者装置。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法及系统，以解决现有技术中急需一种可以计算量小、耗时短、占用内存小，并且准确计算硅通孔阵列峰值温度的方法或者装置的问题。

为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法，方法包括：

获取硅通孔阵列的硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度；

将硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度代入到预设神经模糊推理系统模型中，计算得到硅通孔阵列的峰值温度。

可选地，该预设神经模糊推理系统模型包括五层，其中，第一层为：

其中，a、b和c为前件参数；并计算硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度的隶属度，计算隶属度的公式为：

其中，和依次为硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度的隶属度函数；预设神经模糊推理系统模型的第二层为：

其中，w_i表示第i条规则的可信度；预设神经模糊推理系统模型的第三层为：

其中，表示归一化后的第i条规则的可信度；预设神经模糊推理系统模型的第四层为：

其中，p_i、q_i、r_i和s_i表示后件参数；预设神经模糊推理系统模型的第五层为：

其中，O⁵为硅通孔阵列峰值温度。

可选地，该计算前件参数的方法包括：