[发明专利]基于周期排化DS效应的太赫兹源在审
| 申请号： | 202111119393.4 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113904202A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 张平;张书赫;舒靖;郭宏阳;杨生鹏;王少萌;宫玉彬 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 四川鼎韬律师事务所 51332 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于周期排化DS效应的太赫兹源，源极和漏极均为由N个金属电极构成的周期光栅结构，且各自的N个金属电极分别通过一个金属电极板与异质结进行欧姆接触，源极的金属电极和漏极的金属电极交叉排列，栅极包括2N‑1个与异质结作肖特基接触的金属电极，每个栅极金属电极分别位于源极的金属电极和漏极的金属电极交叉排列形成的每个间隙中，从而得到了源极、栅极、漏极三者交替周期排列形成的光栅结构。本发明采用源极、栅极、漏极三者交替周期排列形成的光栅结构，增加短沟道效应单元的数量，同时保证每个单元的DS效应辐射效果，从而提升太赫兹波辐射的功率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 周期 ds 效应 赫兹 | ||
【主权项】：
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