[发明专利]基于周期排化DS效应的太赫兹源在审
| 申请号： | 202111119393.4 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113904202A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 张平;张书赫;舒靖;郭宏阳;杨生鹏;王少萌;宫玉彬 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 四川鼎韬律师事务所 51332 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 周期 ds 效应 赫兹 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于周期排化DS效应的太赫兹源，包括源极、漏极、栅极和异质结，其特征在于：
所述源极和漏极均为由N个金属电极构成的周期光栅结构，且各自的N个金属电极分别通过一个金属电极板与异质结进行欧姆接触，源极的金属电极和漏极的金属电极交叉排列，栅极包括2N-1个与异质结作肖特基接触的金属电极，每个栅极金属电极分别位于源极的金属电极和漏极的金属电极交叉排列形成的每个间隙中。
2.根据权利要求1所述的太赫兹源，其特征在于，所述栅极的2N-1个金属电极平行排列为周期结构，整个太赫兹源为耗尽型晶体管。
3.根据权利要求1所述的太赫兹源，其特征在于，所述栅极的2N-1个金属电极由附加金属电极连接形成S型结构，S型结构的两端连接栅压，整个太赫兹源为增强型晶体管。
4.根据权利要求1所述的太赫兹源，其特征在于，所述栅极中单个金属电极的栅长为100nm-300nm。
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