[发明专利]多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备有效
| 申请号： | 202111118247.X | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113560963B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 宋驰;张鑫;殷龙海;尹小林;张斌智;李鑫;黄贺;张乐 | 申请（专利权）人： | 摩高光学科技（佛山）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/00 | 分类号： | G06F17/00;B24B1/00;B24B13/00;G06F17/15 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 许家裕 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区桂城街道夏*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光学元件加工技术领域，具体提供了一种多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备，通过获取参考去除函数和参考束流分布函数；测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数；根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工；从而，可有效抑制拼痕的产生，且可减小工作量，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 离子源 协同 加工 抑制 方法 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于摩高光学科技（佛山）有限公司，未经摩高光学科技（佛山）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111118247.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
