[发明专利]多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备

权利要求书

1.一种多离子源协同加工拼痕抑制方法，用于控制多个离子源协同对光学元件进行抛光处理，其特征在于，包括步骤：

A1.获取参考去除函数和参考束流分布函数；所述参考去除函数为参考离子源的预先测得的实测去除函数；所述参考束流分布函数为所述参考离子源的预先测得的离子束束流分布函数；所述参考离子源是指所述多个离子源中的一个；

A2.测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；

A3.根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数；

A4.根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；

A5.根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工；

所述参考束流分布函数通过法拉第杯扫描得到；

步骤A2中，通过法拉第杯扫描得到各离子源的实测束流分布函数；

所述参考去除函数、参考束流分布函数分别为：

；

；

其中，x为光学元件表面待加工点的坐标位置，为坐标位置x处的去除效率，为参考去除函数的最大去除效率，为参考去除函数的半值全宽，为坐标位置x处的束流电流，为参考束流分布函数的最大束流电流，为参考束流分布函数的半值全宽；

所述实测束流分布函数为：

；

其中，为第j个离子源的坐标位置x处的束流电流，为第j个离子源的实测束流分布函数的最大束流电流，为第j个离子源的实测束流分布函数的半值全宽，j=1~n，其中n为离子源的总数；

步骤A3包括：

根据以下公式计算各离子源的估计去除函数的最大去除效率和半值全宽：

；

；

其中，为第j个离子源的估计去除函数的最大去除效率，为第j个离子源的估计去除函数的半值全宽，j=1~n，其中n为离子源的总数；

从而得到各离子源的估计去除函数为：

；

其中，为第j个离子源的在坐标位置x处的去除效率。

2.根据权利要求1所述的多离子源协同加工拼痕抑制方法，其特征在于，步骤A4包括：

根据各离子源的估计去除函数，利用反卷积算法计算各离子源的留驻时间分布数据。