[发明专利]一种低温制备高致密度W-Ti合金溅射靶材的方法有效
| 申请号： | 202111098241.0 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113881922B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 高卡;马天宇;刘东岳;孙德建;赵峻良;张米纳;高阳;樊磊 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/14;B22F3/16;B22F5/00;C22C27/04 |
| 代理公司： | 郑州明华专利代理事务所(普通合伙) 41162 | 代理人： | 高丽华 |
| 地址： | 200000 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低温制备高致密度W‑Ti合金溅射靶材的方法，通过前期热压预烧结获得晶粒尺寸较小并具有一定强度和密度的预烧结坯体，再施加振荡热压烧结，调控振荡热压烧结工艺参数如烧结温度、振幅、振荡热压中值、振荡频率、烧结时间等，使得样品在模具内经热场和力场的多场耦合作用，W‑Ti二者之间充分扩散，并在循环压力作用下促使粉体重排和气孔排出，同时较低的烧结温度有效避免了晶粒的异常长大。由于本发明热压预烧结与振荡热压烧结结合的方式，实现了在较低温度下得到高致密度W‑Ti合金溅射靶材，致密度可达99％以上，基本达到了理论致密化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 制备 致密 ti 合金 溅射 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理工大学，未经上海理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111098241.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
