[发明专利]一种菱方相GeSe基热电材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111097519.2 申请日: 2021-09-18
公开(公告)号: CN113956042B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 胡利鹏;李想;刘福生 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: H10N10/852 分类号: H10N10/852;H10N10/01;C04B35/547;C04B35/626;C04B35/645
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 刘芙蓉
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种菱方相GeSe基热电材料及其制备方法,其中,热电材料为Ge1‑yBiySe(MnCdTe2)x合金,其中,x取值为0~0.30,y取值为0~0.06。制备方法包括:按照Ge1‑yBiySe(MnCdTe2)x化学计量比配比称取原料;将原料置于石英管中,并抽好真空,通过氢氧火焰进行密封;将密封的石英管放入箱式炉中进行高温熔炼,然后通过淬火获得合金锭块;将合金锭块球磨成微细粉末;利用放电等离子体烧结炉将微细粉末烧结成型,得到菱方相结构的Ge1‑yBiySe(MnCdTe2)x块体。本发明解决了正交相GeSe材料载流子浓度低的问题,极大地提高了热电性能,降低了合金成本。
搜索关键词: 一种 菱方相 gese 热电 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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