[发明专利]一种菱方相GeSe基热电材料及其制备方法有效
| 申请号: | 202111097519.2 | 申请日: | 2021-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN113956042B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
| 发明(设计)人: | 胡利鹏;李想;刘福生 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
| 主分类号: | H10N10/852 | 分类号: | H10N10/852;H10N10/01;C04B35/547;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 刘芙蓉 |
| 地址: | 518060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: |
本发明公开了一种菱方相GeSe基热电材料及其制备方法,其中,热电材料为Ge |
||
| 搜索关键词: | 一种 菱方相 gese 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学,未经深圳大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111097519.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- BaGa<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>化合物、BaGa<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体及制法和用途
- Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>化合物、Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体及制法和用途
- 一种GeSe<sub>2</sub>纳米晶及其制备方法和应用
- 一种Na<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非线性光学晶体及制法和用途
- 垂直GeSe/MoS<Sub>2</Sub> p-n异质结构
- 一种Ag掺杂的GeSe基热电材料及其制备方法和应用
- 一种单晶GeSe三角形纳米片阵列材料的制备方法及其应用
- 活性层掺杂了GeSe二维纳米材料的有机太阳能电池及其制备方法
- 一种异质结GeSe/TiO<base:Sub>2
- 一种异质结半导体光电探测器及其制备方法





