[发明专利]用于负氧离子束产生与引出的磁铁结构在审
申请号: | 202111097066.3 | 申请日: | 2021-09-18 |
公开(公告)号: | CN113808907A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 孙良亭;金钱玉;赵红卫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院近代物理研究所 |
主分类号: | H01J49/10 | 分类号: | H01J49/10;H01J49/34 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 张月娟 |
地址: | 730013 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于负氧离子束产生与引出的磁铁结构,包括:磁铁封装本体,为中空的筒状结构,所述磁铁封装本体上沿其中心孔周向设置若干磁铁容置槽,且各磁铁容置槽沿轴向贯穿磁铁封装本体的两端面;磁铁,若干列所述磁铁分别封装于各个所述磁铁容置槽内,若干列磁铁被配置为在所述磁铁封装本体的中心轴线位置产生二极磁场。本发明能够提高引出负氧离子束的亮度;同时通过磁铁一端的过滤磁场,过滤掉与负氧离子一起被引出的电子,可以降低引出电源的功率及引出电极承受的热负载;通过该磁铁结构的引入,可以降低离子源的建造成本及显著延长离子源的运行寿命。 | ||
搜索关键词: | 用于 离子束 产生 引出 磁铁 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院近代物理研究所,未经中国科学院近代物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111097066.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。