[发明专利]一种多晶硅生产还原炉控制方法有效
| 申请号： | 202111091990.0 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN113772674B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 陈绍林;程茂林;彭中;刘逸枫;杜炳胜;甘居富 | 申请（专利权）人： | 云南通威高纯晶硅有限公司 |
| 主分类号： | G05D23/30 | 分类号： | G05D23/30 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 潘涛 |
| 地址： | 678000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种多晶硅生产还原炉控制方法，包括以下步骤：在还原炉进行前，将氢气‑氯硅烷基准曲线、电压基准曲线、基准尾气温度斜率曲线和基准功率曲线输入至还原炉的PID控制系统内；实时测量还原炉内的U、I和T；通过PID控制系统中电压基准曲线控制还原炉电压，通过PID控制系统中氢气‑氯硅烷基准曲线控制加入还原炉内的氢气和氯硅烷；若K值超出基准尾气温度斜率曲线上的K |
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| 搜索关键词： | 一种 多晶 生产 还原 控制 方法 | ||
【主权项】：
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