[发明专利]一种多晶硅生产还原炉控制方法有效
| 申请号： | 202111091990.0 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN113772674B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 陈绍林;程茂林;彭中;刘逸枫;杜炳胜;甘居富 | 申请（专利权）人： | 云南通威高纯晶硅有限公司 |
| 主分类号： | G05D23/30 | 分类号： | G05D23/30 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 潘涛 |
| 地址： | 678000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 生产 还原 控制 方法 | ||
1.一种多晶硅生产还原炉控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
在还原炉进行前，将氢气-氯硅烷基准曲线、电压基准曲线、基准尾气温度斜率曲线和基准功率曲线输入至还原炉的PID控制系统内；
实时测量还原炉内的U、I和T；
通过PID控制系统中电压基准曲线控制还原炉电压，通过PID控制系统中氢气-氯硅烷基准曲线控制加入还原炉内的氢气和氯硅烷；
若K值超出基准尾气温度斜率曲线上的Kset时，则对氢气-氯硅烷进行调整；
将基准尾气温度回归，形成一元多次方程，随后再对一元多次方程进行一阶求导，得到尾气在各时刻的斜率，将斜率与时刻点绘制成得到；
还原炉采用24对棒还原炉时，尾气温度回归方程为：
0-49h：Tset = -0.0000441 t4 + 0.0075044 t3 - 0.4436497 t2 + 15.8036824 t +228.3；
49-100h：Tset = 0.0000034 t4 + 0.0002141 t3 - 0.2303064 t2 + 24.9296142 t -147；
还原炉采用24对棒还原炉时，对尾气温度方程求一阶导数，结果如下：
0-49h：Kset=-4*0.0000441 t3+3*0.0075044 t2-2*0.4436497 t+15.80；
49-100h：Kset=4*0.0000034 t3+3*0.0002141 t2-2*0.2303064 t+ 24.93；
还原炉采用24对棒还原炉时，计算实时尾气温度斜率值，并与基准斜率值进行比较，当：
0-49h：K值-Kset0.5，则氢气设定值增加0.04*SP氢气；
49-70 h：K值-Kset0.3，则氯硅烷设定值减少0.02*SP氯硅烷；
70h以后，不进行干预；
若P超出基准功率曲线上的Pθ时，则对电流进行调整；
其中：U为实际电压；I为实际电流；T 为实际尾气温度；K值为实际尾气温度斜率；Kset为基准尾气温度斜率；Pθ为基准功率；P为实际功率；Tset为基准尾气温度；t为还原炉运行时间；SP氢气是氢气-氯硅烷基准曲线上的氢气值；SP氯硅烷是氢气-氯硅烷基准曲线上的氯硅烷值。
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