[发明专利]用于电化学传感器的分子印迹电极的制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 202111081405.9 申请日: 2021-09-15
公开(公告)号: CN113834866A 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 瞿广飞;汤慧敏;季炜;胡英辉 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;G01N27/48;C01G49/08;C01B33/12;C01B32/19
代理公司: 昆明同聚专利代理有限公司 53214 代理人: 苏芸芸
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开了一种用于电化学传感器的分子印迹电极的制备方法,该方法基于还原氧化石墨烯rGO与Fe3O4@SiO2复合材料大的比表面积、好的电子传递性,引入分子印迹技术,以羟基化产物为模板分子,Fe3O4@SiO2‑rGO修饰的GCE为基底,采用电聚合的方法制备了能选择性识别羟基化产物的MIPs/Fe3O4@SiO2‑rGO/GCE电极;MIPs/Fe3O4@SiO2‑rGO/GCE电极与参比电极、对电极一起连接在电化学工作站上,以形成MIPs/Fe3O4@SiO2‑rGO/GCE分子印迹材料的电化学传感器,实现对羟基自由基的在线检测;导电材料rGO和MOFs材料Fe3O4@SiO2修饰玻碳电极,大大提高了电极在反应中检测信号的灵敏度;该电化学传感器对印迹分子响应快速、灵敏度高、稳定性好;能实时的对羟基自由基进行在线检测,检测无需取样等过程,简化了检测流程。
搜索关键词: 用于 电化学传感器 分子 印迹 电极 制备 方法 应用
【主权项】:
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