[发明专利]一种低静态电流NMOS型全集成LDO电路有效
| 申请号： | 202111069200.9 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113760031B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 白春风;张开 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低静态电流NMOS型全集成LDO电路，包括误差放大器电路、自适应偏置电流源电路、NMOS管N5、电阻R1和R2、频率补偿电路、用于自适应控制NMOS管N6的开启与关闭的上过冲检测电路和用于自适应控制PMOS管P5的开启与关闭的下过冲检测电路；上过冲检测电路在检测到发生上过冲时打开NMOS管N6，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流；下过冲检测电路在检测到发生下过冲时打开PMOS管P5，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流。本发明能够以非常低的静态电流实现全集成LDO在面对几十A/μs的负载电流切换速率时的快速响应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静态 电流 nmos 集成 ldo 电路 | ||
【主权项】：
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