[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 202111052909.8 | 申请日： | 2021-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN113506821B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 林坤;杨天应;刘丽娟;吴文垚 | 申请（专利权）人： | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、位于衬底上的半导体叠层、位于半导体叠层上且间隔排布的源极欧姆金属和漏极欧姆金属、与源极欧姆金属接触连接的源极互连金属、与漏极欧姆金属接触连接的漏极互连金属、位于源极互连金属与漏极互连金属之间且与半导体叠层接触连接的栅极金属，以及位于半导体叠层上且与源极互连金属形成金属互连的源场板；其中，源场板位于源极互连金属和漏极互连金属之间，源场板至漏极欧姆金属的距离小于源场板至漏极互连金属的距离。该半导体器件能够在不额外增加器件面积的条件下减小源极和漏极之间的寄生电容，从而提高器件的漏极效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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