[发明专利]曝光方法以及曝光装置在审
申请号: | 202111052400.3 | 申请日: | 2021-09-08 |
公开(公告)号: | CN113703280A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 侯广杰;叶小龙;王栋;谢超 | 申请(专利权)人: | 深圳市龙图光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;G03F7/20 |
代理公司: | 深圳壹舟知识产权代理事务所(普通合伙) 44331 | 代理人: | 欧志明 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于曝光技术领域,尤其涉及一种曝光方法以及曝光装置,其中,曝光方法包括:将柔性曝光材料弯曲形成的圆筒基材;将曝光装置置入到圆筒基材的内筒腔,并对圆筒基材内壁进行曝光,其中,曝光装置包括圆筒状掩模版以及设于圆筒状掩模版内筒腔的光源,圆筒状掩模版的中心轴线与圆筒基材的中心轴线重合,光源能够在周向上发光。本发明能够避免了将柔性曝光材料弯曲呈筒状的过程对圆筒基材内壁的曝光图案造成破坏。 | ||
搜索关键词: | 曝光 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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