[发明专利]一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法在审
| 申请号： | 202111051053.2 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113744932A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 涂锋;吴文清;李亮亮;高天元 | 申请（专利权）人： | 黄石市深博电气有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00 |
| 代理公司： | 黄石市三益专利商标事务所 42109 | 代理人： | 王端英 |
| 地址： | 438000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法，包括以下步骤：S1、将已恢复绝缘的电缆使用电缆清洁纸进行表面清洁，使用美工刀片将位于熔接头两端的外半导层断口进行倒角处理；S2、将半导硫化带从外半导层一端断口搭接至另一端断口；S3、在半导硫化带的外部包绕一层锡纸，再在锡纸外缠绕一层耐高温PI聚酰亚胺胶带；S4、在耐高温PI聚酰亚胺胶带上包绕硅橡胶加热带，配置温控箱，温控箱的温度感应探头插入硅橡胶加热带中，温度调整为90℃加热；S5、当温度达到定值90℃时，保温5分钟后，进行风冷，用细砂带背面来回轻拉一次，再用清洁纸将熔接部位外壁擦拭干净；本发明工艺方法所恢复的电缆外半导层电缆还原真实度高，性能更加优越。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔接 电缆 外半导层 恢复 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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