[发明专利]一种原位生长碳界面层改性SiC/SiC复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202111042691.8 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN113683433B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 宋环君;陈昊然;杨良伟;金鑫;张宝鹏;于艺;刘伟;于新民;刘俊鹏;孙同臣 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人： | 谭辉 |
| 地址： | 100074 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种原位生长碳界面层改性SiC/SiC复合材料及其制备方法，该方法包括：(1)将SiC纤维预制体与第一前驱体进行反应，得到包含碳界面层的第一试样(2)将第一试样与第二前驱体进行化学气相沉积反应，进一步得到包含SiC界面外层的第二试样(3)将第二试样浸渍在第三前驱体中，得到第三试样；(4)将第三试样依次进行固化、裂解反应，得到第四试样；(5)重复步骤(3)至(4)至少一次，然后进行液态硅熔渗，得到改性SiC/SiC复合材料。本发明制备的改性SiC/SiC复合材料具有原位生长的完整碳界面层，具有优异的力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 生长 界面 改性 sic 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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