[发明专利]沉积方法在审
| 申请号： | 202111038008.3 | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN114262867A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | S·海默尔;A·托马斯;T·威尔比 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明，提供一种从靶溅射沉积含有添加剂元素的含添加剂氮化铝膜的方法，所述添加剂元素选自：钪(Sc)、钇(Y)、钛(Ti)、铬(Cr)、镁(Mg)及铪(Hf)，所述方法包括以下步骤：在腔室中提供其上具有金属层的半导体衬底；及通过所述靶的脉冲DC反应性溅射将所述含添加剂氮化铝膜沉积到所述金属层上；其中沉积所述含添加剂氮化铝膜的所述步骤包括以以sccm为单位的流速将包括氮气及惰性气体的气体混合物引入到所述腔室中，其中以sccm为单位的所述气体混合物的所述流速包括以sccm为单位的氮气流速，且其中以sccm为单位的所述氮气流速小于或等于以sccm为单位的所述气体混合物的所述流速的约50％，且也足以使所述靶完全中毒。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SPTS科技有限公司，未经SPTS科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111038008.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：蚀刻装置和使用该蚀刻装置制造显示装置的方法
- 下一篇：传送装置和压力机设备
- 同类专利
- 专利分类
