[发明专利]基于Nano-LED应用的外延结构、芯片及制备方法有效
| 申请号： | 202111036291.6 | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN113838952B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;蔡建九;曲晓东;赵斌 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/32;H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基于Nano‑LED应用的外延结构、芯片及制备方法，通过：所述图形化衬底包括通过隔离柱相互隔离且呈阵列分布的多个凸起，所述凸起与对应隔离柱之间形成凹槽；形成于所述凹槽内并覆盖各所述凸起表面且通过所述隔离柱相互隔离的若干个外延叠层。从而，基于由隔离柱相互隔离且呈阵列分布的多个凸起所构成的图形化衬底，可在各所述凸起表面形成相互隔离的若干个外延叠层，也即每个凸起形成一个独立的发光单元；进而可很好地实现发光单元的外延材料的应力释放，获得高质量的外延材料，使得小电流下的Nano‑LED芯片拥有高的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 nano led 应用 外延 结构 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照半导体科技有限公司，未经厦门乾照半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111036291.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
