[发明专利]石墨烯场发射阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 202111036226.3 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113838725A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 洪序达;梁栋;郑海荣 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院;中国科学院深圳理工大学（筹） |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯场发射阴极及其制备方法。该石墨烯场发射阴极包括：导电基底；呈直立状地生长于所述导电基底上的石墨烯纳米片；结合在所述石墨烯纳米片表面上的金属纳米颗粒。本发明提供的石墨烯场发射阴极能够极大增加电子发射尖端的密度以及有效发射尖端的数量，能够提高场发射电流。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 发射 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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