[发明专利]基于结构和缺陷工程调制的钼基氧化物超级电容器电极材料的制备在审
| 申请号： | 202110993188.4 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113690067A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 谭立超;石安然;马慧媛;褚大卫 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/46;H01G11/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明名称为基于结构和缺陷工程调制的钼基氧化物超级电容器电极材料的制备，涉及在储能领域对具有氧缺陷的空心棒状钼酸镍和钼酸钴复合物电极材料的制备。本发明的目的是要改善现有金属氧化物固有的导电性差，实际比电容小，循环稳定性低的缺点。本发明以三氧化钼为原料，采用软模板法，部分还原法，制备具有氧缺陷的空心棒状钼酸镍和钼酸钴复合物，并且该电极材料拥有高比表面积、优异电化学性能的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 结构 缺陷 工程 调制 氧化物 超级 电容器 电极 材料 制备 | ||
【主权项】：
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