[发明专利]电阻式随机存取存储器器件在审
| 申请号： | 202110987309.4 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN114256414A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 黎佳俊;卓荣发;陈学深 | 申请（专利权）人： | 格芯新加坡私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林莹莹;牛南辉 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开一般地涉及存储器器件及其形成方法。更具体地，本公开涉及电阻式随机存取(ReRAM)存储器器件。本公开提供了一种存储器器件，其包括：具有开口的电介质层；沿着开口的侧壁；位于开口中的第一电极；设置在第一电极上的电阻层；设置在电阻层上的氧清除层；以及与氧清除层接触的第二电极。氧清除层包括与电阻层不同并且部分地覆盖电阻层的材料。第一电极通过氧清除层和电阻层电连接到第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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