[发明专利]一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法有效
| 申请号： | 202110986962.9 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113696358B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李兴鹏;曹榛;苏江涛;张翠芸;师伟 | 申请（专利权）人： | 西安中晶半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/00;G01N23/20 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 刘娜 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多线切割实现单晶晶体晶向偏离的方法，包括利用X射线晶体衍射仪测试待测单晶硅棒的晶向值，计算待测单晶硅棒晶向偏离度，确定偏移方向和计算偏离距离，进行多线切割。利用多线切割将一定长度的单晶硅棒切割成硅片厚度一致，晶向偏离度一致的若干硅片，解决了预先截取切块定向后切割，操作不方便，切割效率低，精准度低，材料损耗大等问题，大大提高了生产效率，提高晶向偏离精准度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 偏离 晶体 切割 方法 | ||
【主权项】：
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