[发明专利]使用多重图案化过程形成图案化结构的方法和系统在审
| 申请号： | 202110986819.X | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN114121650A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 井上尚树;中野竜;山田信哉;土屋真央 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/32 | 分类号： | H01L21/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了形成适用于多重图案化过程的图案化结构的方法。示例性方法包括通过以下来形成覆盖衬底的层：在前体脉冲周期内向反应室提供前体，在反应物脉冲周期内向反应室提供反应物，在第一等离子体功率周期内施加具有第一频率(例如小于1MHz)的第一等离子体功率，以及可选地，在第二等离子体功率周期内施加具有第二频率的第二等离子体功率，其中第一频率不同于第二频率。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 多重 图案 过程 形成 结构 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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