[发明专利]一种电离层垂直电子密度测量方法在审

专利信息
申请号: 202110985729.9 申请日: 2021-08-26
公开(公告)号: CN114137574A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 何恒;慕晓冬;杨晓云;赵鹏;周辰;潘蕾 申请(专利权)人: 中国人民解放军火箭军工程大学
主分类号: G01S19/14 分类号: G01S19/14
代理公司: 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 代理人: 张培勋
地址: 710025 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种电离层垂直电子密度测量方法,第在时段T内流星余迹通信设备输出n个Tp(t)。在“Tp(t)与VP(t)对应表格”中根据每一个Tp(t)的数值查询VP(t)的数值;测量流星余迹接信号强度P的持续时间Tp(t),以及流星余迹区域外的电离层垂直电子密度,即流星余迹背景电离层垂直电子密度称V(t);得到时段T内流星余迹区域背景电离层垂直电子密度V(t)的均值V;得到dv(t)和f(TP(t));f(TP(t))即为对T时段内的V(t)取均值作为该时段该区域的背景电离层垂直电子密度V。基于GNSS信号的电离层监测采用反演算法推算电离层各层电子密度,得出的流星余迹背景电离层垂直电子密度V更加精确,对该区域电离层活动规律的揭示更加真实有力,可广泛应用于卫星导航精度提升、卫星通信性能改善和短波通信快速选频领域。
搜索关键词: 一种 电离层 垂直 电子密度 测量方法
【主权项】:
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