[发明专利]一种全范德华自旋太赫兹发射器及调控太赫兹波强弱以及极性的方法在审

专利信息
申请号: 202110980497.8 申请日: 2021-08-25
公开(公告)号: CN113922192A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 聂天晓;王海宇;杨晴 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: H01S1/02 分类号: H01S1/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 姚亮;张德斌
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种全范德华自旋太赫兹发射器及调控太赫兹波强弱以及极性的方法。该全范德华自旋太赫兹发射器包括:飞秒激光器、纳米薄膜、电压源;飞秒激光器用于输出穿透纳米薄膜的泵浦激光,以产生第一太赫兹脉冲;纳米薄膜为非铁磁层和铁磁层构建的全范德华异质结构;铁磁层的材料为二维磁性材料;电压源用于向非铁磁层输入电流,调控非铁磁层材料的费米能级距离狄拉克点的位置以改变第一太赫兹脉冲的强弱,以及产生极性相反的第二太赫兹脉冲。本发明还提供了一种调控太赫兹波强弱以及极性的方法。上述太赫兹波发生器是采用二维铁磁材料制备铁磁层,与由范德华拓扑材料制成的非铁磁层构建全范德华异质结构。
搜索关键词: 一种 全范德华 自旋 赫兹 发射器 调控 强弱 以及 极性 方法
【主权项】:
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