[发明专利]一种片上集成铌酸锂多波复合处理器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110963336.8 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113641012A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 尹志军;倪荣萍;吴剑波;叶志霖;李胜雨;张虞;许志城 | 申请（专利权）人： | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03;G02F1/21;G02F1/225 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种片上集成铌酸锂多波复合处理器件，所述多波复合处理器件能够实现多波产生、调制以及复用等功能，所述片上集成铌酸锂多波复合处理器件基于铌酸锂材料，将频率梳产生器、滤波器、调制器以及复用器等多个功能器件有机地集成于芯片上，所述复合处理器件应用于光模块能够大幅度缩小光模块的体积，提高工作效率及运行稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 铌酸锂多波 复合 处理 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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