[发明专利]一种双层三元氧化物的光电突触器件及其制备和工作方法有效
申请号: | 202110962012.2 | 申请日: | 2021-08-20 |
公开(公告)号: | CN113675294B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 杨志强;顾鹏;陈柯辛;李春梅;王金勇;蒋向东;李伟 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/032;H01L31/18;G06N3/067 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种双层三元氧化物的光电突触器件及其制备和工作方法,器件从上至下具有透明顶电极、n型金属掺杂钛酸锶氧化物薄膜、p型铝酸铜氧化物薄膜、透明底电极的垂直四层结构;多个透明顶电极形成的阵列等距排布在器件上表面;n型金属掺杂钛酸锶氧化物薄膜和p型铝酸铜氧化物薄膜用于构建光电突触器件的功能层,透明导电薄膜作为顶电极、底电极和光窗;所述的光电突触器件不仅具有器件结构和制备工艺简单等特点,还具有响应时间短和响应电流大的优点,其宽光谱响应可以解决电激励电读取突触器件工作带宽受限的问题,有望在未来神经形态芯片以及先进智能视觉系统中获得应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 双层 三元 氧化物 光电 突触 器件 及其 制备 工作 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110962012.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的