[发明专利]一种双层三元氧化物的光电突触器件及其制备和工作方法有效

专利信息
申请号: 202110962012.2 申请日: 2021-08-20
公开(公告)号: CN113675294B 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 杨志强;顾鹏;陈柯辛;李春梅;王金勇;蒋向东;李伟 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L31/109 分类号: H01L31/109;H01L31/032;H01L31/18;G06N3/067
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种双层三元氧化物的光电突触器件及其制备和工作方法,器件从上至下具有透明顶电极、n型金属掺杂钛酸锶氧化物薄膜、p型铝酸铜氧化物薄膜、透明底电极的垂直四层结构;多个透明顶电极形成的阵列等距排布在器件上表面;n型金属掺杂钛酸锶氧化物薄膜和p型铝酸铜氧化物薄膜用于构建光电突触器件的功能层,透明导电薄膜作为顶电极、底电极和光窗;所述的光电突触器件不仅具有器件结构和制备工艺简单等特点,还具有响应时间短和响应电流大的优点,其宽光谱响应可以解决电激励电读取突触器件工作带宽受限的问题,有望在未来神经形态芯片以及先进智能视觉系统中获得应用。
搜索关键词: 一种 双层 三元 氧化物 光电 突触 器件 及其 制备 工作 方法
【主权项】:
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