[发明专利]一种硼扩散方法及太阳能电池在审
| 申请号： | 202110961931.8 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113809201A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李云朋;叶枫;袁陨来;王建波 | 申请（专利权）人： | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 付珍;王胜利 |
| 地址： | 225300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硼扩散方法及太阳能电池，涉及光伏技术领域，以制作复合电流密度小且接触电阻率小的硼掺杂层。该硼扩散方法包括如下步骤：提供一硅基底；对硅基底进行整面的第一热扩散工艺，在硅基底上形成第一硼扩散层和硼硅玻璃层；去除硼硅玻璃层；对硅基底进行整面的第二热扩散工艺，使第一硼扩散层的表层掺杂浓度增大转变成第二硼扩散层，第一硼扩散层的其余部分为第三硼扩散层；获得包括第二硼扩散层和第三硼扩散层的硼掺杂层。本发明提供的一种硼扩散方法及太阳能电池用于太阳能电池制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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