[发明专利]聚电解质插层二氧化锰的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202110947741.0 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113659128A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 邵智鹏;傅杰财;谢二庆;张亚雄;郭洪州;延剑锋;崔晓莎 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01M4/50 | 分类号： | H01M4/50;H01M4/62;H01M10/36;H01M10/42 |
| 代理公司： | 兰州泽一知识产权代理有限公司 62207 | 代理人： | 周春雷 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明提供了聚电解质插层二氧化锰的制备方法及其应用，其中聚电解质插层的二氧化锰包括聚电解质和二氧化锰，且聚电解质通过原位电化学的方法生长于二氧化锰层间，原位电化学方法包括以下步骤：S1、将锰盐与聚电解质分散于去离子水中；S2、利用电化学方法在三电极体系中，以步骤S1得到溶液为沉积液，通过无机‑有机界面反应，在集流体上，将聚电解质插入二氧化锰层间，最后通过高温干燥形成聚电解质插层的二氧化锰。本发明提供的原位电化学合成方法工艺简单、成本低、容易操作。同时，聚电解质原位插层于二氧化锰层间，大大地扩大了层状二氧化锰的层间距，从而提高了二氧化锰的结构稳定性、电化学性能以及吸附性能，应用于离子电池等。 | ||
| 搜索关键词： | 电解质 二氧化锰 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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