[发明专利]可变电阻式随机存取存储器元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110947379.7 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115715144A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 尤书鸿;郑钧鸿;王泉富 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种可变电阻式随机存取存储器元件及其制作方法，其中该可变电阻式随机存取存储器元件包括：介电层、下电极、数据存储层、金属覆盖层以及上电极。介电层具有一个凹室；下电极至少一部分通过此凹室暴露于外。数据存储层位于凹室的侧壁和底面，且与下电极电性接触，并具有一个低于凹室开口的顶部。金属覆盖层毯覆于数据存储层上方，并具有覆盖下电极的顶部的延伸部，且与凹室的侧壁连接。上电极位于凹室之中，并与金属覆盖层电性接触。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 随机存取存储器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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