[发明专利]笔式电容器用腐蚀、化成箔的制造方法在审
申请号: | 202110935844.5 | 申请日: | 2021-08-16 |
公开(公告)号: | CN113913895A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 李晓天;刘生勇;陈云 | 申请(专利权)人: | 南通南辉电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C25D11/10 | 分类号: | C25D11/10;C25D11/12;C25D11/16;C25D11/18;C23G1/12;H01G9/055 |
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地址: | 226000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及电容器用电极材料技术领域,具体涉及笔式电容器用腐蚀、化成箔的制造方法,首先,采用盐酸和/或硫酸溶液,于一定温度下浸泡腐蚀高纯铝箔,然后用常温水清洗,重复腐蚀多次,制得腐蚀铝片;然后,采用添加了柠檬酸和己二酸的己二酸铵体系槽液,通过五级化成工艺对上述所得腐蚀铝片进行阳极氧化,制备具有氧化膜的阳极箔;最后,经过多次去极化处理、热处理、再化成工艺以及终处理,最终制得笔式电容器用腐蚀、化成箔。本发明通过优化前处理,有效提高阳极箔扩面倍率,同时采用五级化成工艺结合添加了柠檬酸、己二酸的己二酸铵体系槽液,大幅提升最终化成箔容量和强度,满足笔式电容器用腐蚀、化成箔使用要求。 | ||
搜索关键词: | 电容 器用 腐蚀 化成 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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