[发明专利]一种全氟硅烷偶联剂修饰的Li负极制备方法在审
| 申请号： | 202110934235.8 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN113707848A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 熊杰;樊雨馨;胡音;雷天宇;陈伟;周酩杰;胡安俊;王显福 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;H01M4/62;H01M4/134;H01M10/052;C23C22/02 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种全氟硅烷偶联剂修饰的Li负极制备方法，属于锂金属电池负极保护技术领域，先在四氢呋喃中加入1～10wt％的1H,1H,2H,2H‑全氟癸基三乙氧基硅烷，搅拌均匀后获得混合溶液；再将Li片完全浸入混合溶液中静置反应30min；取出反应后的Li片，经烘干得到全氟硅烷偶联剂修饰的Li负极。本发明利用1H,1H,2H,2H‑全氟癸基三乙氧基硅烷的分子自发组装特性，在Li片表面形成Li‑O‑Si共价键连接的致密保护层，并与SEI层通过化学键和物理缠绕效应连接，增强SEI层与Li片的粘附性；保护层中的含氟官能团能分解形成LiF，有助形成致密SEI层，提高SEI层稳定性和电池长循环性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅烷偶联剂 修饰 li 负极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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