[发明专利]一种基于多层静电势参数的SF6在审

专利信息
申请号: 202110930751.3 申请日: 2021-08-13
公开(公告)号: CN113657015A 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 杨帅;张闹闹;刘关平 申请(专利权)人: 湖北工业大学
主分类号: G06F30/25 分类号: G06F30/25;G06F30/27
代理公司: 武汉宇晨专利事务所(普通合伙) 42001 代理人: 李鹏;王敏锋
地址: 430068 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种基于多层静电势参数的SF6替代气体挑选方法,利用GAUSSVIEW软件对分子进行建模获得分子构型并优化,通过波函数分析得到分子构型的不同电子密度等值面的静电势参数,计算等值面的静电势参数与相对电气强度、沸点、GWP的Pearson相关性系数,并挑选相关系数较高的静电势参数,根据静电势参数、相对电气强度、沸点、GWP构建预测模型,根据预测模型挑选SF6替代气体。本发明有利于更加高效,更加准确的筛选出SF6的替代气体。
搜索关键词: 一种 基于 多层 静电 参数 sf base sub
【主权项】:
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