[发明专利]一种基于多层静电势参数的SF6

权利要求书

1.一种基于多层静电势参数的SF₆替代气体挑选方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：使用GAUSSVIEW软件对气体分子进行建模获得分子构型，使用GAUSSIAN软件对分子构型进行优化，使得分子构型优化到能量极小值点；

步骤2：根据步骤1中优化后的分子构型得到波函数文件，通过波函数分析得到分子构型的不同电子密度等值面的静电势参数；

步骤3：计算步骤2获得各等值面的静电势参数与相对电气强度、沸点、全球变暖潜势值GWP的Pearson相关性系数，挑选出静电势参数中与相对电气强度、沸点、全球变暖潜势值GWP的Pearson相关性系数绝对值大于设定相关性阈值的静电势参数；

步骤4：将步骤3中挑选出的相关性系数绝对值大于0.5的静电势参数作为预测模型的输入端，将相对电气强度、沸点、GWP分别作为预测模型的输出端，建立预测模型，每个样本包含步骤3中挑选出的静电势参数及其对应的相对电气强度、沸点、GWP，各个样本构成样本集，根据样本集生成训练集与验证集，当验证集的决定系数R²达到设定决定阈值以上时，预测模型训练完成；

步骤5：将步骤4中得到的预测模型预测SF₆替代气体的相对电气强度、沸点、GWP。

2.根据权利要求1所述的一种基于多层静电势参数的SF₆替代气体挑选方法，其特征在于：所述的步骤1中GAUSSIAN软件采用DFT方法中的M06-2x方法与6-311++G(d,p)基组对分子构型进行优化。

3.根据权利要求1所述的一种基于多层静电势参数的SF₆替代气体挑选方法，其特征在于：所述的步骤2中的静电势参数包括分子体积V，分子总表面积A_s、正静电势表面积A_s⁺、负静电势表面积A_s^-、静电势平均偏差Π、分子表面正静电势方差σ₂⁺、分子表面负静电势方差σ₂^-、分子表面总静电势方差σ_tot²、电荷平衡度ν、分子非极性表面积NSA、分子极性表面积PSA、体积密度结果ρ、以及表面静电势极小值V_min。

4.根据权利要求1所述的一种基于多层静电势参数的SF₆替代气体挑选方法，其特征在于：所述的步骤3中的设定相关性阈值为0.5。

5.根据权利要求1所述的一种基于多层静电势参数的SF₆替代气体挑选方法，其特征在于：所述的设定决定阈值为0.9。

6.根据权利要求1所述的一种基于多层静电势参数的SF₆替代气体挑选方法，其特征在于：所述的步骤5中，筛选相对电气强度大于1、沸点小于SF₆的沸点、GWP小于SF₆的GWP值的100倍的SF₆替代气体。