[发明专利]一种InP基垂直腔面发射激光器在审
| 申请号： | 202110911434.7 | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN113644540A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 杨翠柏 | 申请（专利权）人： | 深圳市中科芯辰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 方晓燕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种InP基垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中的一种InP基垂直腔面发射激光器包括以下结构：InP衬底；依次位于所述InP衬底上的缓冲层、第一DBR反射层、长波激光发射单元、第二DBR反射层和电极接触层；所述第一DBR反射层和第二DBR反射层均包括第一折射率材料层和第二折射率材料层交替重叠的多层结构，所述第一折射率材料层晶格常数小于所述InP衬底，所述第二折射率材料层晶格常数大于所述InP衬底。本发明采用应变类型相反的两种材料交替生长制作DBR层，可以通过应变补偿的方式降低因晶格失配产生的应力，减少外延片翘曲的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
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