[发明专利]晶片配准及重叠测量系统以及有关方法在审
| 申请号： | 202110907522.X | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN113589663A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | N·A·米林;R·登比;R·T·豪斯利;张晓松;J·D·哈姆斯;S·J·克拉梅尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及晶片配准及重叠测量系统以及有关方法。一种方法包含向晶片施加磁场，检测从所述晶片内的第一组配准标记中的至少一个配准标记发射的至少一个残余磁场，响应于所述所检测到的残余磁场，确定所述第一组配准标记中的所述至少一个配准标记的位置，确定第二组配准标记中的至少一个配准标记的位置，及响应于所述第一组配准标记中的所述至少一个配准标记及所述第二组配准标记中的所述至少一个配准标记的所述相应确定位置，计算所述晶片的所关注层级与所述晶片的参考层级之间的位置偏移。还揭示有关方法及系统。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 重叠 测量 系统 以及 有关 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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