[发明专利]一种崩岗区脐橙根部水肥缓释和表土抗侵蚀种植方法有效

专利信息
申请号: 202110902866.1 申请日: 2021-08-06
公开(公告)号: CN113615466B 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 朱绪超;梁音;田芷源;王欣 申请(专利权)人: 中国科学院南京土壤研究所
主分类号: A01G17/00 分类号: A01G17/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 唐循文
地址: 210008 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种崩岗区脐橙根部水肥缓释和表土抗侵蚀种植方法,首先,开挖种植坑,所述种植坑选择在崩岗平坦部位;在种植坑的底壁和侧壁喷施W‑OH材料;将脐橙幼苗植入种植坑内,在坑中回填一层土壤,在回填的土上撒施肥料,再回填土壤至与地面齐平,浇定根水;其次,在种植坑土壤表面沿坑沿构建围埂,围埂内边与种植坑边线保持一致,形成埂内相对沉陷区和围埂隆起区,将脐橙幼苗围在中心;在脐橙种植土表围埂内部脐橙幼苗周围覆盖植物枯枝落叶,对覆盖的植物进行压实;对种植坑土表的围埂喷施W‑OH材料,在围埂上土壤入渗层形成固结胶体。该方法能够减慢脐橙根区水肥渗漏,提高脐橙水肥利用率,同时还可减少崩岗区因种植脐橙扰动土壤导致的水土流失。
搜索关键词: 一种 崩岗区 脐橙 根部 水肥 表土 侵蚀 种植 方法
【主权项】:
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