[发明专利]一种崩岗区脐橙根部水肥缓释和表土抗侵蚀种植方法

说明书

一种崩岗区脐橙根部水肥缓释和表土抗侵蚀种植方法，首先，开挖种植坑，所述种植坑选择在崩岗平坦部位；在种植坑的底壁和侧壁喷施W‑OH材料；将脐橙幼苗植入种植坑内，在坑中回填一层土壤，在回填的土上撒施肥料，再回填土壤至与地面齐平，浇定根水；其次，在种植坑土壤表面沿坑沿构建围埂，围埂内边与种植坑边线保持一致，形成埂内相对沉陷区和围埂隆起区，将脐橙幼苗围在中心；在脐橙种植土表围埂内部脐橙幼苗周围覆盖植物枯枝落叶，对覆盖的植物进行压实；对种植坑土表的围埂喷施W‑OH材料，在围埂上土壤入渗层形成固结胶体。该方法能够减慢脐橙根区水肥渗漏，提高脐橙水肥利用率，同时还可减少崩岗区因种植脐橙扰动土壤导致的水土流失。

技术领域

本发明属于崩岗农业开发领域，具体涉及一种崩岗区脐橙根部水肥缓释和表土抗侵蚀种植方法。

背景技术

崩岗是我国南方特有的一种侵蚀地貌类型，是在水力和重力的综合作用下，山坡土体受破坏而冲刷和崩塌的侵蚀现象。据统计，我国南方共有崩岗24万个，侵蚀总面积达到1220km²，平均侵蚀模数高达5.9万t/(km²·a)，严重影响了我国生态安全和经济社会的可持续发展。因此，崩岗的开发治理成为一项关系国计民生的重要任务。

在崩岗平地种植脐橙等经济林果成为崩岗农业开发的一种重要形式，传统的脐橙种植方法步骤包括：(1)在崩岗平整部位挖种植坑；(2)在种植坑内植入脐橙幼苗；(3)在脐橙种植坑内施肥-填土-浇水等操作；(4)在种植坑土表构建围埂。由于崩岗土壤土质疏松、渗透性强、养分贫瘠，坑内的水分和肥料会在降雨后发生渗漏流失，导致脐橙水肥利用率低，造成长势差、产量低等问题。另外，崩岗土壤石英颗粒多，砂性强，土壤抗蚀性差，在种植脐橙扰动的部位容易产生新的土壤侵蚀，导致水土流失发生。严重影响崩岗开发治理的效益。

因此，在崩岗区脐橙种植的过程中，如何减慢崩岗区脐橙根部的水肥渗漏，同时提升脐橙表土的抗侵蚀能力，成为本领域人员亟待解决的问题。

发明内容

解决的技术问题：针对崩岗区传统的脐橙种植方法水肥利用率低、表土易流失的问题，本发明提供一种崩岗区脐橙根部水肥缓释和表土抗侵蚀种植方法。

技术方案：一种崩岗区脐橙根部水肥缓释和表土抗侵蚀种植方法，包括如下步骤：首先，坑内减渗处理：开挖种植坑，所述种植坑选择在崩岗平坦部位；在种植坑的底壁和侧壁喷施W-OH材料，喷施浓度为3vt.％～5vt.％；将脐橙幼苗植入种植坑内，在坑中回填一层土壤，在回填的土上撒施肥料，再回填土壤至与地面齐平，浇定根水；其次，表土防蚀处理：在种植坑土壤表面沿坑沿构建围埂，围埂内边与种植坑边线保持一致，形成埂内相对沉陷区和围埂隆起区，将脐橙幼苗围在中心；在脐橙种植土表围埂内部脐橙幼苗周围覆盖植物枯枝落叶，对覆盖的植物进行压实；对种植坑土表的围埂喷施W-OH材料，喷施浓度为5vt.％～7vt.％，在围埂上土壤入渗层形成固结胶体；喷施量按照如下公式计算：V＝f×h×A×1000，式中，V为W-OH溶液的体积(L)，f为土壤孔隙度(％)，h为W-OH溶液入渗厚度(m)，A为需要喷施的面积(m²)。

上述崩岗平坦部位为台地、上游集水区或冲刷堆积区。

上述开挖种植坑的直径为0.8～1.2m、底部直径为0.6～1.0m、深0.6～0.8m，种植坑边壁倾斜，保持60°～85°的坡度。

上述种植坑内施用的W-OH材料用水稀释，配制成3vt.％～5vt.％的W-OH溶液，充分搅拌混合后，用喷雾器进行喷施。

上述W-OH材料坑内喷施顺序为，先均匀喷施种植坑的侧壁，使侧壁土壤完全被W-OH溶液覆盖，再喷施种植坑底壁。

上述种植坑中第一次回填土壤的高度为5～10cm，使脐橙幼苗栽种后根部紧邻的主干漏出土面。

上述围埂施用的W-OH材料用水稀释，配制成浓度为5vt.％～7vt.％的W-OH溶液，用喷雾器进行喷施。